GaN成膜装置の引き合い旺盛SiCエピ装置で新型機を投入

摘要

独アイクストロン(日本法人=東京都品川区北品川1-8-11、☎03-5781-0931)は、MOCVD装置の大手メーカーとして、今後需要拡大が見込まれるGaN on SiパワーデバイスやGaN on SiC高周波デバイスの量産を支えている。先ごろSiCエピタキシャル成長装置の新型機をリリースするなど、SiCパワーデバイス市場での存在感もさらに高めていく方針だ。これらの事業を担当する共同社長のフェリックス•グラヴァート(Felix J. Grawert)氏に話を伺った。