設計技術棟を起工 パワー半導体の開発強化

摘要

三菱電機㈱(東京都千代田区丸の内2-7-3、03-3218-2111)は、パワーデバイス製作所(福岡市西区)内に新設する設計技術棟の起工式を開催した。投資額は約25億円。2014年2月の竣工、同年3月から供用を開始する。SiCを含めたパワー半導体の開発•設計をさらに強化する。新棟の規模は、S造り地上6階建て、建築面積1800m~2、延べ床面積約1万500m~2。同製作所内で3カ所に分散していた開発•設計技術部門を1カ所に集約する。最大870人を収容できるが、稼働当初には関係会社を含め約600人が従事する。同棟は「グリーンアジア国際戦略総合特区」に指定された地域内に建設するため、「総合特別区域法」ならびに「福岡市グリーンアジア国際戦略総合の推進に関する条例」に基づく課税の特例措置を受ける。国および県と市から総額約5億円の補助を受ける予定。