AIST太陽光GaAsセルで22%HVPE法で高速成膜

摘要

産業技術総合研究所(AIST)太陽光発電研究センターと大陽日酸の研究グループは、Ⅲ-V族化合物太陽電池のコスト低減が期待できるハイドライド気相成長法(HVPE法)に着目している。GaAs単接合セルの構造最適化で変換効率22%超を達成した。