次世代のSiC高品質基板結晶作製技術溶液法によりマイクロパイプ・基底面転位を低減産学の連携を深め，実用化を目指す

摘要

SiCパワーデバイスの本格的な実用化に向けて，基rn板結晶の欠陥密度低減が最重要課題となっている。rnその中で，最近，溶液法によるSiC成長が注目されrnつつある。溶液法により成長したSiC結晶には，パrnワーデバイスにおいて問題となるマイクロパイプやrn基底面転位が桁違いに少ない。本稿では，その概要rnと課題について述べる。