μ c-Si TFTの研究開発動向高密度プラズマ源によるμ c-Si膜の高速形成ライン型高温プラズマ源によるa-Siの固相結晶化

摘要

μ c-Si（微結晶シリコン）は，これまでa-Si（アモrnルファスシリコン）と並び，主に薄膜太陽電池用基rn盤材料として，産官学間を中心に開発が進められてrnきた。μc-Siの平均結晶粒は，50～100nmで，エrnキシマレーザアニール（ELA）による結晶化で作製rnされる低温多結晶Si（LTPS）の300～500nmrnに比較して小さい。現在AM-OLED用スイッチングrn素子としては，LTPS-TFTが実用化されている。しrnかし，しきい値電圧（V_(th)）のバラつきが大きいたrnめ，画素単位に補償回路が設けられている。一方，rna-Si TFTは，DC駆動時のV_(th)の変動が大きく，こrnの場合も補償回路が必要となる。これらの課題を克rn服するための基盤材料としてμ c-Siが注目されていrnる。LTPS-TFTのような大きな移動度を実現できなrnくても，大面積でV_(th)のバラつき，a-Si TFTのV_(th)rnのシフトを抑制できることから，現在μ c-Si TFTrnに注目が集まりつつある。