透明アモルファス酸化物半導体材料a-In-Ga-Zn-O室温プロセスでa-Si TFTの10倍の性能を実現基礎評価の段階は終わりOLED?LCDへの応用開始

摘要

東京工業大学が独自に開発した透明アモルファrnス酸化物半導体（Transparent Amorphous rnOxide Semiconductor:TAOS）により，アrnモルファス半導体TFTでは世界最高レベル，rn10cm~2（Vs）~(-1)以上という，a-Si TFTと比較rnして10倍の高移動度を達成した。本稿では，rn高移動度の起源について，a-Siと比較しながrnら説明し，最近の進展および応用について紹rn介する。