量子磁気スイッチング

摘要

強相関スピン電荷量子励起による磁性のフェムト秒スイッチングについて、アイオワ州立犬のT.Li博士らが報告している。(ネイチャー7443号)現在の磁気メモリーデバイスや論理デバイスのスイッチング速度の限界をギガヘルツ(10の9乗Hz)からテラへルツ(10の12乗Hz)領域へ押し上げる技術上の要請が、スピンエレクトロニタスの全分野や多機能集積デバイスの根底に存在している。この挑戦的な取り組みでは、コヒーレントなスピン操作に基づく全光磁気スイッチングが研究されている。分子状態の適切な重ね合わせをつくることで化学反応や生化学反応の光反応生成物に影響を与えることができるフェムト秒科学や光台成ダイナミクスと同樣に、フェムト秒レーザーで励起した電子状態間のコヒーレンスによって、相関物質の競合する相の間の微妙な均衡を“間接的に”増すことで、磁気秩序をスイッチングできる。応用に適した材料としては、例えば巨大磁気抵抗を示すマンガン酸化物があげられる。