机译:比较集成在标准SiGe工艺中的有源吉尔伯特混频器(第二部分)
Cento de Estudios e Investigaciones Tecnicas de Gipuzkoa (CEIT), San Sebastian, Spain;
机译:比较集成在标准SiGe工艺中的有源吉尔伯特混频器(第一部分)
机译:采用BiCMOS SiGe工艺的高性能K波段有源混频器
机译:具有集成Marchand Balun的单片宽带Gilbert微型混音器,采用标准的硅IC工艺
机译:有源吉尔伯特混频器集成在用于UHF和VHF应用的标准SiGe工艺中
机译:使用0.15μmgaas hemt技术的wimax下变频器吉尔伯特单元混频器。
机译:对比脉冲测序超声成像的集成处理可增强中空充气二氧化硅纳米壳和微壳的主动对比
机译:采用SiGe BiCMOS技术的具有集成二极管线性化器的23 GHz有源混频器
机译:si和siGe合金的气源分子束外延中的表面过程(Gas Bron moleculaire Bundel Epitaxie van si en siGe Legeringen中的Oppervlakte processen)