机译:GaN功率晶体管蓄势待发,LDMOS有望保持领先
机译:AIGaN / GaN功率高电子迁移率晶体管结构MOCVD生长期间的应变和位错演化分析
机译:AIGAN / GAN电力高电子迁移率结构MOCVD生长过程中应变与位错演化分析
机译:通过使用等离子体辅助分子束外延进行选择性区域生长而获得的用于高功率GaN场效应晶体管的低电阻欧姆接触
机译:利用LDMOS和GaN高功率晶体管的高效基站放大器架构
机译:电力电子应用增加功率密度的GaN基垂直晶体管的设计与开发
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:用于Si LDMOS功率晶体管表征的快速物理模型
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管