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GaN power transistors poised for growth, LDMOS promises to maintain lead

机译:GaN功率晶体管蓄势待发,LDMOS有望保持领先

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摘要

While bringing the latest developments in gallium nitride (GaN) power transistors for microwave applications, this report sheds new light on the GaN market as this technology moves toward production. In addition, the report also delivers the latest advancements in CMOS RFICs and integrated passive components.
机译:在为微波应用提供氮化镓(GaN)功率晶体管的最新进展的同时,该报告为GaN技术在生产中的应用提供了新的亮点。此外,该报告还提供了CMOS RFIC和集成无源元件的最新进展。

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