机译:CdSerSm和CdSe:Nd纳米晶薄膜的光电性能比较研究
Department of Applied Physics, Raipur Institute of Technology, Chhatauna, Mandir Hasuad, Raipur 492101, Chhattisgarh, India;
Department of Applied Physics, Shri Shankaracharya Group of Institutions, Junwani, Bhilai, Chhattisgarh, India;
Department of Applied Physics, Shri Shankaracharya Group of Institutions, Junwani, Bhilai, Chhattisgarh, India;
CdSe:Sm; CdSe:Nd Nanocrystalline Thin Film; XRD; Photoluminescence;
机译:反应性大功率脉冲和射频磁控溅射制备Co_3O_4纳米薄膜的电,光和催化性能的比较研究
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机译:使用两种不同的浴液组成通过化学浴沉积法生长的纳米晶PbS薄膜的结构,形态,光学和电学性质的比较研究
机译:通过光浸泡调节纳米晶Zn掺杂Cdse薄膜中的光学性质
机译:(n)CdSe和ito薄膜肖特基势垒和异质结的电学和光学性质研究。
机译:晶体结构表面/界面微观结构与纳米铌薄膜的电性能的相关性
机译:单层CdTe和CdSe薄膜的多层CdSe / CdTe薄膜光学性质的比较研究。