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【24h】

東芝 GaN-on-Siプロセス採用 サブワットタイプ白色LED

机译:东芝氮化硅工艺采用亚瓦特型白光LED

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摘要

東芝は、シリコンウェハー上にガリウムナイトライドを結晶成長させる「GaN-on-Si」プロセスを採用した白色を製品化し、8月から順次量産を開始すると発表した。同製品は、順電圧を低減し低消費電力を実現したサブワットタイプのLED。直管、電球、べースライト、シーリングライ卜など一般照明用光源として3.O×1.4ミメーリトルパツケージ「TL2FK」シリーズと3.0×3.0ミメーリトルパツケIジの「TL3GA」シリーズの2種類を提供する。
机译:东芝宣布将商业化使用“ GaN-on-Si”工艺的白色用于硅晶片上氮化镓晶体的生长,并将于八月份开始批量生产。该产品是具有低正向电压和低功耗的亚瓦特型LED。作为普通照明的光源,例如直管,灯泡,底灯和吸顶灯,有两种类型:3.O×1.4 Mimei小包装“ TL2FK”系列和3.0×3.0 Mimei小包装“ TL3GA”系列。提供。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2013年第1期|4-4|共1页
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