机译:使用CNT富士半导体“ NRAM”的非易失性存储器的商业化
机译:许可证捐赠非易失性记忆,如富士通半导体
机译:许可的非易失性存储器,例如Fujitsu Semicon
机译:提出了一种利用电压控制的磁化反转的非易失性存储器的新写入方法,并证明了写入概率的显着提高,以实现最终的节能和大容量存储器。
机译:基于MTJ元件的使用非易失性触发器的微处理器芯片原型以及非易失性电源门控的评估
机译:通过第一性原理计算使用氮化硅膜的高性能非易失性存储器的设计准则的建议
机译:连接的层次模型1显示了等离子体模拟的一个新方面。等离子体中的耦合分层模拟2.2面向磁重联研究的多层模拟模型的开发