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広範な携帯電話帯域カバー NXPがブロードバンドLDMOSRF ICの製品ラインアップ発表

机译:广泛的手机覆盖范围恩智浦宣布推出宽带LDMOS RF IC产品阵容

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摘要

NXPセミコンダクターズはスモールセル基地局向けにブロードバンド28V LD (横方向拡散型)MOS2段デュアルパス·ドハティ最適化ICの業界最大の製品ラインアップを発表した。新しいLDMOS ICは業界をリードするNXPのRFパワー·トランジスタ製品ラインアップを構成、RF出力範囲は2.5-12Wで、今後導入が予定されている周波数帯を含め700-3800メガへルツの全周波数帯域で、優れたRF出力、効率、ゲインを提供する。
机译:恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出业界最大的小型蜂窝基站宽带28V LD(横向扩散型)MOS 2级双路径Doherty优化IC产品系列。新型LDMOS IC构成了恩智浦业界领先的RF功率晶体管产品阵容,其RF输出范围为2.5-12W,包括未来频段在内的整个频段为700-3800兆赫兹。提供出色的RF功率,效率和增益。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2016年第16936期|3-3|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
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  • 入库时间 2022-08-17 23:53:09

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