米TIがドライバー内蔵の600V動作GaNFET開発

摘要

米Texas Instruments(TI)は動作電圧600V、導通時抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)を統合したパワー•ステージ「LMG3410」のエンジニアリング•サンプルの出荷を発表した。新製品は、同社のアナログやデジタルの電力変換コントローラとの組み合わせで、シリコンベースのFETを搭載したソリューションと比べ、より小型、高効率、かつ高性能の製品を設計できる。そのため産業用、通信、企業向けコンピューティングや再生可能エネルギーなどの高電圧動作の絶縁型回路を使うアプリケーションに最適。