新システムLSIの設計法 湘南工大が提案 微细化せず大容量化

摘要

湘南工科大学工学部渡辺重佳教授(元東芝半導体技術者)らは、平面(プレーナ)型トランジスタの微細化の限界を克服する新しいシステムLSIの設計法を提案した(3月11日付電子情報通学会論文誌C Vol. J99-CNo.4 pp. 150-159)。東芝など大手メモリーメーカーが、次世代半導体に競って大型投資を計画する3次元型NANDフラッシュメモリーの製造方法を用い、縦方向に縦型Fe-FET(強誘電体ゲート電解効果トランジスタ)を直列接続する積層構造の論理回路の提案。従来の平面型トランジスタの微細化の限界を打ち破り、小型•小面積、最大で従来の0.6%製造コストに低減可能とする注目すべき技術といえそうだ。