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磁性体メモリー世界最高の電力性能東大、東芝などが開発10分の1以下低消費電力化

机译:磁存储器由东京大学,东芝等开发的世界上最高的功率性能功耗低于1/10

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摘要

東京大学(中村宏教授プロジェクトリーダ)、東芝、ルネサス、ロームはNEDOプロジェクトで、世界最高の電力性能を持つ新方式磁性体メモリーを開発した。コンビュータのキヤッシュメモリー用に十分な高速性能で、従来の混載メモリー(SRAM)と比較して消費電力を10分の1以下の4メガピットクラスの新方式磁性体メモリー(STT-MRAM)回路。
机译:在NEDO项目下,东京大学(中村宏史教授项目负责人),东芝,瑞萨电子和ROHM开发了一种具有世界上最高功率性能的新型磁存储器。一种4兆坑级的新型磁存储器(STT-MRAM)电路,其高速性能足以容纳计算机的高速缓存,并且与常规嵌入式存储器(SRAM)相比,功耗为1/10或更小。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2016年第16849期|3-3|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
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  • 入库时间 2022-08-17 23:51:56

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