W帶向けGaN送信用パワーアンプで世界最高の出力密度

摘要

富士通と富士通研究所は、W帯(75G-110GHz)を用いた大容量の無線ネットワークに適用可能な、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を利用した送信用の高出力増幅器(パワーアンプ)を開発した。 長距離·大容量の無線通信を実現するには、広い周波数帯域を利用できるW帯などの高周波帯を用いて、送信用パワーアンプの出力を増大させることが有望である。一方で、増大する通信システムの消費電力を低減させるパワーアンプの効率向上も求められている。