金属型/半導体型CNT産総研が分離メカニズム解明

摘要

産業技術総合研究所(産総研)は、カーボンナノチューブ(CNT)の半導体応用に欠かせない高純度半導体型CNTの製造基盤技術である電界誘起層形成法(ELF法)について、これまで詳細が不明だった金属型/半導体型CNTの分離メカニズムを解明した。これにより、ELF法によるCNTの高純度化への指針が得られ、より高効率のCNT分離が実現。従来と比較して分離コストを9割以上削減した。また、分離時間を半分に短縮することができた。