STが600V耐圧のパワーMOSFET高速リカバリ·ボディダイオードを肉蔵

摘要

ST Microelectronics (ST)は、最新のスーパージャンクション技術を採用し、高速リ力バリ·ボディ·ダイオードを内蔵した600V耐圧パワーMOSFET「MDmcsh DM 6」を発表した。