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单结晶ホイスラー合金巨大磁気抵抗素子

机译:单晶Heusler合金巨磁阻元件

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摘要

物質·材料研究機構(NIMS)は産業技術総合研究所(産総研)と共同で、 産業上実用性の高いシリコン基板上に、優れた磁気抵抗特性を示す単結晶ホイスラー合金巨大磁気抵抗素子の作製に成功した。さらにウェハー接合技術を用いることにより、多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子膜の接合が可能であることを 世界で初めて示した。従来は非実用的だった高性能単結晶素子の実用展開への新たな道筋を示すものであり、ハードディスクドライブ(HDD)の大容量化などに寄与する。
机译:美国材料科学研究院(NIMS)与美国先进工业科学技术研究院(AIST)合作,制造了一种单晶Heusler合金巨磁致电阻元件,该元件在具有高工业实用性的硅基板上具有出色的磁阻特性。成功了。此外,我们在世界上首次表明可以使用晶片键合技术将单晶磁阻元件膜键合到多晶电极上。它显示了实际开发高性能单晶器件的新途径,这以前是不切实际的,并且有助于增加硬盘驱动器(HDD)的容量。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2020年第17924期|9-9|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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  • 入库时间 2022-08-18 05:27:37

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