首页> 外文期刊>电波新闻 >IGBTに比べ電力損失を58%低減ロームが耐圧600VのSJ-MOSFET30機種
【24h】

IGBTに比べ電力損失を58%低減ロームが耐圧600VのSJ-MOSFET30機種

机译:与耐压600V的IGBT 30 ROHM SJ-MOSFET相比,功耗降低58%

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

ロームは、インバータ回路に特化した600V耐圧のスーパージャンクション(SJ)-MOSFET 「PrestoMOS (プレストモス)」に、軽負荷時の電力損失をIGBTより最大で58%低減。省エネ効果と設計自由度を向上させた新シリーズ「R60xxJNxシリーズ」30機種をラインアップする。昨年10月から量産を始め、既に24機種をラインアップ。残る6機種も3月中に量産を始める。エアコン、冷蔵庫、太陽光発電用パワーコンデイショナ、EV用充電器などの産業機器向けに供給する。
机译:与专用于逆变器电路的600V超结(SJ)-MOSFET“ PrestoMOS”中的IGBT相比,ROHM在轻负载下的功率损耗降低了58%。新系列“ R60xxJNx系列”的30个型号的阵容,具有改进的节能效果和设计灵活性。去年10月开始批量生产,已经有24款车型投入生产。其余6款车型将于3月开始量产。供应工业设备,例如空调,冰箱,太阳能发电的功率调节器和电动汽车的充电器。

著录项

  • 来源
    《电波新闻》 |2019年第17622期|4-4|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 04:25:17

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号