スイッチング損失35%低減駆動電力も1/10に

摘要

東京大学生産技術研究所を中心とする研究グループは、3300V級シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のスイッチング制御を、従来比3分の1となる5Vのゲート駆動電圧で実証することに世界で初めて成功した。