日本がイツ窒化ガリウ厶ウエハー「FGAN」半導体•オブ•ザ•イャー電子材料部門グランプリ受賞

摘要

【名古屋】日本ガイシは5日、同社の窒化(GaN)ガリウムゥェハー「FGAN」が、「第25回半導体•オブ•ザ•ィャー」の半導体用電子材料部門でグランプリを受賞した。半導体•オブ•ザ•ィャーは、最先端のIT機器•産業を支える半導体製品•技術を表彰するもの。今回は18年4月から19年3月までに発表された新製品の中から、開発の斬新性や量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準に選考が行われ、半導体デバイス、半導体製造装置、半導体用電子材料の3部門でグランプリと優秀賞が選出された。