首页> 外文期刊>电波新闻 >ルネサス超低消費電力を実現組込みコントローラ独自プロセス技術採用
【24h】

ルネサス超低消費電力を実現組込みコントローラ独自プロセス技術採用

机译:瑞萨电子实现超低功耗嵌入式控制器采用原始工艺技术

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

ルネサスエレクトロニクスは14日当地で会見し、超低消費電力を実現する独自のプトセス技術「SOTB (Silicon on Thin Buried Oxide)」を初めて採用した組み込みコントローラ「R7FOE」を開発したと発表した。SOTBプロセス技術は、従来のマイコンでは実現不可能とされていたアクティブ時とスタンバイ時の両方の消費電力を、どちらも減らすことができるといろ特徴がある。
机译:瑞萨电子有限公司(Renesas Electronics Co.,Ltd.)14日在当地举行了会议,并宣布已开发出一种嵌入式控制器“ R7FOE”,该控制器首先采用了自己的工艺技术“ SOTB(薄埋氧化硅)”,该技术可实现超低功耗。 SOTB处理技术具有可以降低活动和待机功耗的功能,这是传统微型计算机无法实现的。

著录项

  • 来源
    《电波新闻》 |2018年第17542期|2-2|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号