机译:2.0 GeV电子在厚靶上产生的光中子产量的角分布测量
Pohang Accelerator Laboratory, POSTECH, Nam-gu, Pohang 790-784, South Korea;
机译:在Ti和Cu靶中产生10-25 keV电子产生的厚靶Bremsstrahlung角分布的测量
机译:由初始能量为10到20 keV的电子入射到Ag上而产生的厚目标致辐射的角分布
机译:由初始能量为10到20 keV的电子入射到Ag上而产生的厚目标致辐射的角分布
机译:3.24测量2.0 GeV电子束产生的厚靶的光中子能谱
机译:用12 GeV质子测量在钨靶上产生的lambda0粒子的极化
机译:在钽靶中产生的铽菌放射性核苷酸的生产横截面测量诱导0.3-1.7 gev质子和相应的厚靶产率计算
机译:10 keV和20 keV产生的Bre致辐射的角分布 厚au靶上的电子入射
机译:在入射电子能量为0.2,1.0,2.0和2.8 meV的厚靶中产生电子bre致辐射,第3部分