ナノインプリントリソグラフィ

摘要

集積回路(Integrated Circuit)は特定の複雑な機能を果たすために複数の素子を一つにまとめた半導体デバイス(機器)である。半導体デバイスの集積高密度化は，性能·機能·信頼性の向上，一素子(Bit)あたりの低コスト化などの利点をもたらす。このため，集積回路の誕生以来，集積高密度化の技術開発が絶えず続けられてきた。インテル社の創業者のひとりであるゴードン·ムーア(Gordon Moore)は，「半導体の性能と集積高密度化は，18ヶ月ごとに2倍になる」という経験則に類する将来予測を1965年に唱えた。ULSIはその後，約3年周期で4倍の集積高密度化が進んで現在もなおムーアの法則は健在である。この集積高密度化を可能にしてきたのは微細な回路パターンを形成する半導体リソグラフィ(Lithography)による微細パターニング技術の進歩にあったとっても過言ではない。