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Lifetime measurement of some excited states belonging to the 3p4nd (n=4–6) configuration of ArII

机译:属于ArII的3p 4 nd(n = 4-6)构型的某些激发态的终生测量

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摘要

The radiative lifetimes of eight levels belonging to the 3p4nd (n=4–6) configuration of ArII have been measured using high frequency deflection technique together with a delayed coincidence single photon counting arrangement. Lifetimes of some of the levels have been measured for the first time. The results have been compared with other experimental and theoretical values.
机译:已经使用高频偏转技术和延迟重合单光子计数装置测量了ArII的3p 4 nd(n = 4-6)构型的八个能级的辐射寿命。其中一些级别的寿命已被首次测量。将结果与其他实验和理论值进行了比较。

著录项

  • 来源
    《Pramana》 |2007年第3期|477-480|共4页
  • 作者

    S. Karmakar; M. B. Das;

  • 作者单位

    Department of Physics, Kandi Raj College, Kandi, Murshidabad, 742 137, India;

    Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF, Bidhan Nagar, Kolkata, 700 064, India;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Oscillator strength; lifetimes; transition moments;

    机译:振荡器强度;一生;过渡时刻;
  • 入库时间 2022-08-18 01:38:23

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