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【24h】

Optocouplers Support High- Power, High-Speed Inverters

机译:光电耦合器支持大功率,高速逆变器

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摘要

Gates of insulated gate bipolar transistors (IGBTs) must be driven with stable on and off drive voltages and with relatively high current levels to allow rapid switching between their on and off condition. In addition to allowing rapid switching, high drive current also is a requirement to switch larger power ratings of IGBTs.rnTo realize the importance of high-current gate driver circuit design to inverter application, we look to the end equipment design specification, IGBT gate charge, gate capacitance, gate voltage and switching frequency.
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极必须以稳定的导通和截止驱动电压以及相对较高的电流水平进行驱动,以允许在导通和截止条件之间快速切换。除了允许快速切换之外,还需要高驱动电流来切换更大的IGBT额定功率。为了实现大电流栅极驱动器电路设计对逆变器应用的重要性,我们期待最终设备设计规范IGBT栅极电荷,栅极电容,栅极电压和开关频率。

著录项

  • 来源
    《Power Electronics Technology》 |2009年第4期|24-27|共4页
  • 作者

    GARY AW;

  • 作者单位

    Avago Technologies, San Jose, Calif;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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