机译:基于Ga 2 O 3膜作为俘获和阻挡层的电荷俘获存储器件
机译:预退火阻挡氧化物对双陷阱层工程电荷陷阱存储器性能的影响
机译:以Dy掺杂的HfO_2作为电荷陷阱层和Al_2O_3作为阻挡层的改进的电荷陷阱非易失性存储器
机译:具有高k陷阱层和阻挡层的分裂门型电荷陷阱非易失性存储器的Sub-6V操作,用于高速和高度可靠的嵌入式闪存
机译:第一部分-通过嵌段共聚物熔体的选择性形态捕获获得UV光固化纳米结构第二部分-含聚(RTIL)嵌段共聚物熔体的形态相行为。
机译:山emp酚可通过抑制ROS‐PAD4途径阻止中性粒细胞胞外陷阱的形成并减少肿瘤转移
机译:被困药物对Herg的阻滞与未被困药物对Herg的阻滞相比,对细胞外钾的依赖性不同