...
机译:半导体中简单表面缺陷的位错形核的理论研究
Laboratoire de Metallurgie Physique, CNRS UMR 6630, Universite de Poitiers, B.P. 30179, 86962 Futuroscope Chasseneuil Cedex, France;
linear defects: dislocations; disclinations; kinetics of defect formation and annealing; computer modeling and simulation; molecular dynamics and particle methods;
机译:自由表面的部分位错成核:理论研究
机译:半导体表面台阶引起的部分位错成核:迁移率效应的第一种方法
机译:测量稀缺缺损纳米结构中的表面位错成核
机译:连续体和原子方法相结合的研究从原子尺寸表面缺陷位错成核
机译:疲劳材料的缺陷行为,表面形貌和裂纹成核的表面分析研究和理论模型
机译:用于量产纳米电子的III–V化合物半导体:位错迁移率降低的理论研究
机译:简单表面缺陷位错成核的理论研究 在半导体中