机译:金属有机化学气相沉积法生长的富P有序InP(001)表面晶胞中的P-H键
Hahn-Meitner-Institut, SE4, Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin, Germany;
Ⅲ-Ⅴ semiconductors; structure of clean surfaces (reconstruction); infrared and raman spectra;
机译:勘误:金属有机化学气相沉积法生长的富含P的有序InP(001)的表面晶胞中的P-H键[Phys。 B 71,033308(2005)版]
机译:金属有机化学气相沉积生长的CBr_4在(001)InP衬底上的InGaAsSb膜中的碳掺杂
机译:通过金属有机化学气相沉积法调节InAlP表面生长的InP自组装量子结构的形态
机译:在InP衬底上通过金属有机化学气相沉积法生长的应变GaAsSb(N)/ InP量子阱的特性
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的氮化铟,氮化铟镓合金的光学,结构和传输性能。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:金属有机化学气相沉积法生长的In1-x Gax Asy P1-y / InP异质结的椭圆偏振光谱研究