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机译:表面电荷转移的第一性原理计算:Ru(0001)上核激发Ar〜*(2p_(3/2)〜(-1)4s)的情况
Centro de Fisica de Materiales, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, Apartado 1072, 20080 San Sebastian, Spain;
impurity and defect levels; energy states of adsorbed species; charge transfer; charge carriers: generation; recombination; lifetime; trapping; mean free paths; density functional theory; local density approximation; gradient and other corrections;
机译:Ar / Cu(111)体系中的核激发Ar〜*(2p_(3/2)〜(-1)4s)原子与金属基质之间的激发电子转移
机译:Ar晶体内的核激发Ar〜*(2p_(3/2)〜(-1)nl)原子:Ar邻居对激发态的影响
机译:ru(0001)和石墨烯/ ru(0001)表面的霓虹灯散射中的量子脱痛行为:实验与计算比较
机译:吸附在Au(111)表面上吸附的链烷醇的电荷转移:第一原理计算
机译:陈述BC [+] + Ar?BC + Ar [+]系统中选定的电荷转移反应:BC = H [2],O [2]和NO的比较
机译:O2在Pd / Ru(0001)和PdRu / Ru(0001)表面合金上的反应性
机译:Ru(0001)负载的石墨烯上Ru原子的吸附和扩散:大规模第一性原理计算