机译:In_xGa_(1-x)N(0001)和(0001)表面上In,Ga和N吸附的第一性原理研究
机译:氧在GaN(0001)和GaN(0001)表面上的吸附和结合:第一性原理密度泛函计算
机译:DFT定期研究α-氧化铝的无水和羟化(0001)表面上的甘氨酸吸附DFT定期研究α-氧化铝的无水和羟化(0001)表面上的甘氨酸吸附
机译:纤锌矿AIN(0001)和(0001)表面上的氧吸附不对称性:第一性原理计算
机译:第一性原理研究Ge在4H-SiC(0001)表面的吸附特性
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:铁吸附对氧化锌(0001)表面电子和光催化性能的影响:第一性原理研究
机译:“3d过渡金属在表面(0001)GaN上的吸附和扩散。研究使用DFT“/”在GaN(0001)表面上吸附和扩散3d过渡金属。 DFT研究“