机译:密度泛函理论计算中晶体硅空位配合物能级和能级的能级超单元尺寸收敛
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
theories and models of crystal defects;
机译:硅中空位缺陷的形成和结构:结合了蒙特卡洛大都会,紧密结合的分子动力学和密度泛函理论计算
机译:利用密度泛函理论计算结晶硬球配合物的自由能
机译:Al(111)表面空位的形成和结合能:密度泛函理论计算证实了简单的键模型
机译:密度泛函理论中改进的带隙描述对α-石英中缺陷能级的影响
机译:从硅(100)-2x1表面使用低能电子衍射的密度泛函理论计算中比较簇和平板模型的几何形状。
机译:带动能密度的重要性用密度泛函理论计算固体中的间隙
机译:密度泛函理论计算中晶体硅中形成能和空位配合物的能级的能级超单元尺寸收敛