机译:通过附近的As空位对GaAs(110)表面上的Mn-受体结合能和Mn-Mn交换相互作用进行电操纵
Department of Physics and Electrical engineering, Linnaeus University, 391 82 Kalmar, Sweden;
Department of Physics, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA;
Department of Physics and Electrical engineering, Linnaeus University, 391 82 Kalmar, Sweden;
magnetic semiconductors; impurity and defect levels;
机译:靠近GaAs(110)表面的锰受体的结合能增强
机译:在Langmuir蒸发第三态下,InP和GaAs(110)表面上的双孔局部化在阴离子空位形成中的作用
机译:氧空位对NH3与金红石型TiO2(110)-1 x 1结合相互作用的影响
机译:INAS / GaAs量子点中的激子旋转操作:交换相互作用和磁场效应
机译:低能离子在铂(111)和金(110)表面上的超通道化以及铁电钽酸锂的离子散射光谱法。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:电受操纵mn受体结合能和mn-mn 通过附近的as空位在Gaas(110)表面上交换相互作用
机译:al与Gaas(110)表面相互作用的Leed分析