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机译:间接带隙半导体Si和GaP中的本征相干声子
National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0047, Japan;
Department of Physics, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA;
Faculty of Physics and Materials Sciences Center, Philipps-Universitaet Marburg, 35032 Marburg, Germany;
Department of Physics and Astronomy, University of Pittsburgh, Pittsburgh, Pennsylvania 15260, USA;
Department of Physics, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA;
机译:间接带隙半导体Si和间隙中的内在相干声学声子
机译:间接带隙半导体Si和间隙中的内在相干声学声子
机译:室温光致发光对Ge_(1-y)Sn_y合金中直接和间接带隙的成分依赖性:本征和n型材料中间接到直接间隙交叉的含义
机译:声子辅助直带隙复合半导体中本征辐射的长丝化
机译:电子和声子激发对间接间隙半导体的光学性能的影响。
机译:相干声子振荡与光激发GaAs带隙附近电子态之间的Fano共振
机译:间接带隙半导体中的内禀相干声子 si和Gap
机译:导带各向异性对间接间隙半导体激子 - 等离子体转变的影响