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机译:多晶膜中的固有压缩应力在晶界的边缘处定位
CSIC Inst Ciencia Mat Madrid Sor Juana Ines de la Cruz 3 Madrid 28049 Spain;
Univ Autonoma Madrid Inst Nicolas Cabrera & Condensed Matter Phys Ctr Dept Fis Mat Condensada E-28049 Madrid Spain;
机译:多晶膜中的固有压缩应力位于晶粒边界的边缘
机译:压缩固有应力起源于致密难熔多晶薄膜的晶界
机译:表面化学对多晶薄膜生长过程中晶界诱导的内应力演化的影响
机译:基于离散晶界能量分散陷阱态的本征多晶硅薄膜晶体管导电模型
机译:载体转运,重组和晶界在多晶镉碲化镉薄膜中的光伏
机译:通过相关红外光谱纳米瘤和开尔文探针显微镜测量钙钛矿多晶膜中晶界晶界中的电子积累
机译:TLBA / SUB 2 / CA / SU / SU / CU / SUB 3 / SU / o / SUB X /厚多晶膜和YBA / SUB 2 / CU / SUB 3 / O / SUB 7 / SEP 7 / SEAP 7 / SUP 2 / CU / SUP 3 / O / SUB 7 /步骤边缘的电流运输