机译:用非接触扫描非线性介电显微镜研究Si(111)-(7×7)表面上Si原子的原子偶极矩分布
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
microscopy of surfaces; interfaces; and thin films; other instrumentation and techniques for atomic and molecular physics (restricted to new topics in section 39); novel experimental methods; measurements; dielectric properties of solids and liquids;
机译:非接触扫描非线性介电显微镜观察的氢吸附Si(111)-(7×7)表面上的原子偶极矩分布
机译:非接触扫描非线性介电显微镜同时测量Si(111)-(7×7)表面的隧穿电流和原子偶极矩
机译:非接触扫描非线性介电显微镜研究Si(111)-(7×7)表面上的偶极矩诱导的局部表面电势
机译:使用非接触扫描非线性介电显微镜观察Si(100)表面上Si原子的局部偶极力矩
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:通过扫描隧穿显微镜研究的Si表面上的固相外延。用STM观察Si(111)表面Si(111)表面的吸附过程及单个原子/分子的操纵。