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机译:关于“ Cu(111)表面上Pb岛上空量子阱态的图像电势的相位贡献”的评论
Elektrizitatea eta Elektronika, FCT-ZTF, UPV/EHU, 48080, Bilbao, Spain ,CFM, Centra Mixto CSIC-UPV/EHU and DIPC, 20018, San Sebastian, Spain;
Elektrizitatea eta Elektronika, FCT-ZTF, UPV/EHU, 48080, Bilbao, Spain ,CFM, Centra Mixto CSIC-UPV/EHU and DIPC, 20018, San Sebastian, Spain;
ISMO, UMR 8214 CNRS-Universite Paris-Sud, 91405 Orsay CEDEX, France;
CFM, Centra Mixto CSIC-UPV/EHU and DIPC, 20018, San Sebastian, Spain ,Fisica de Materiales, UPV/EHU, 20080, San Sebastian, Spain;
scanning tunneling microscopy (including chemistry induced with STM); quantum wells; quantum wells;
机译:Cu(111)表面上Pb岛上空量子阱态上图像电势的相位贡献
机译:Cu(111)上Pb岛上的场致膨胀形变:来自能量Shi的证据:空量子阱态
机译:Z-V(距离-电压)光谱在扫描隧道显微镜中研究的Cu(111)上Pb岛的空量子阱态中的电子弛豫
机译:Cu(111)上的表面状态到图像电位状态的跃迁产生共振表面次谐波
机译:1/3 ML锡/锗(111)和1/3 ML铅/锗(111)表面的低温相变的原子尺度结构研究。
机译:基准分子-金属的量子蒙特卡罗计算表面反应:H2 + Cu(111)
机译:关于“ Cu(111)表面上Pb岛中空量子阱态的图像电势的相贡献”