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机译:Eu浓度取决于Eu掺杂GaN的结构和光学性质
Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan;
defects and impurities: doping; implantation; distribution; concentration; etc.; optical properties of bulk materials and thin films; Ⅲ-Ⅴ semiconductors;
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