机译:高输出功率365 nm紫外线LED和白色LED
Nitride Semiconductor Research Laboratory, Nichia Corporation, 491 Oka, Kaminaka, Anan, Tokushima 774-8601, Japan;
Ⅲ-Ⅴ semiconductors; light-emitting devices;
机译:365 nm紫外LED的光输出功率衰减研究
机译:高效蓝光磷光体SrLu 2 O 4:Ce 3+,具有高热稳定性,适用于基于近紫外(〜400?nm)LED芯片的白光LED
机译:通过金属有机化学气相沉积在6H-SiC上使用AlGaN / GaN分布的Bragg反射镜增强近紫外LED的输出功率
机译:365 nm紫外发光二极管,输出功率超过400 mW
机译:氮化铝和近紫外LED的横向外延生长,用于白色照明应用。
机译:高效发蓝光的SrLu2O4:Ce3 +具有高热稳定性适用于基于近紫外(〜400 nm)LED芯片的白光LED
机译:利用重掺杂si的GaN插入层技术提高InGaN基紫外LED的输出功率
机译:Convair XF2Y-1飞机的1/10比例火箭推进模型的动力飞行结果,马赫数为1.53:TED No. NaCa DE 365