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机译:铁互扩散对添加稀土元素生长的InP层性能的影响
Institute of Radio Engineering and Electronics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Chaberska 57, 182 51 Praha 8, Czech Republic;
diffusion of impurities; diffusion; interface formation; Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductors; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; liquid phase epitaxy; deposition from liquid phases (melts, solutions, and surface layers on liquids);
机译:通过添加稀土元素生长的InP p型外延层用于辐射检测
机译:Fe / Cu互溶元素在FeZr / CuZr非晶态多层界面上的增强相互扩散
机译:热处理对HVPE生长的InP层辐射性能的影响
机译:(GaIn)As和InP块状外延层的特性。 (GaIn)As / InP-异质结构和通过使用替代来源二叔丁基--s和二叔丁基膦生长的引脚检测器结构
机译:合金元素除316L不锈钢基合金腐蚀性能的影响
机译:原子层沉积在InP上生长的HfAlO栅介质的能带偏移和界面性质
机译:热处理对HVpE生长Inp辐射性能的影响 层