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机译:氮离子注入砷化镓的预测深度分布
plasma-based ion implantation and deposition; Ⅲ-Ⅴ semiconductors;
机译:在各种砷蒸气压下生长的气相外延砷化镓中深层杂质浓度的深度剖面
机译:离子注入氮化镓中深度载流子分布的定量测定
机译:深度可控的超浅铟镓锌氧化物/砷化镓异质结二极管
机译:使用氮离子注入工艺形成具有电流孔径的垂直氧化镓晶体管
机译:通过离子注入和MOCVD再生长来降低砷化镓/砷化镓铝异质结双极晶体管的基极-集电极电容
机译:电极位置和角插入深度是人工耳蜗植入中听力学结果的预测指标
机译:深度分辨率对溅射离子物种和罐溅射深度分析中砷化镓/铝砷膜溅射深度分析分析的依赖性。