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机译:通过绝对电致发光测量聚焦于子电池内部发光量子产率的多结太阳能电池的辐射损伤特性
Institute for Solid State Physics, University of Tokyo and JST-CREST, Kashiwa, Chiba, Japan;
Electroluminescence (EL); III–V semiconductor materials; III???V semiconductor materials; luminescence; photovoltaic cells; radiation effects; space photovoltaics (PV);
机译:使用电致发光测量对多结太阳能电池的辐射响应进行详细表征
机译:通过绝对电致发光效率测量来全面诊断多结太阳能电池中的子电池
机译:GaInP / GaAs / Ge太阳能电池单个子电池的辐射损伤分析,采用光致发光测量
机译:通过绝对电致发光测量,关注于子电池内部发光量子产率的多结太阳能电池中辐射损伤的表征
机译:镧系元素掺杂无机纳米晶体的合成,表征和光谱学;上转换纳米晶体的辐射通量和绝对量子产率测量,以及使用综合优化的线性响应纳米闪烁体制作的光纤辐射探测器。
机译:通过绝对电致发光效率测量来全面诊断多结太阳能电池中的子电池
机译:通过电致发光测量确定GaInP / GaInAs / Ge多结太阳能电池中的内部电压