机译:量子阱和势垒中具有不同Al含量的270/290 / 330-nm AlGaN基深紫外发光二极管的分析
AlGaN; deep ultraviolet; light-emitting diodes; light-emitting diodes (LEDs); numerical simulation;
机译:基于Algan的深紫外发光二极管的效率改进,具有渐变超晶格最后量子屏障和没有电子阻挡层
机译:通过量子势垒的Si掺杂设计提高AlGaN基深紫外发光二极管的性能
机译:通过在多个量子阱中插入较高Al含量的AlCaN层来提高基于AlGaN的深紫外发光二极管的性能
机译:有源区中具有渐变量子结构的AlGaN基深紫外发光二极管的优势
机译:深度紫外发光二极管的偏振工程
机译:图案硅衬底上生长的高外部量子效率基于AlGaN的深紫外发光二极管的生长与制备
机译:基于Algan的深紫外发光二极管的奇妙光学性能与基于内仑的最后量子屏障和步进电子阻挡层