机译:三阶段共蒸发法用分子束外延装置研究Ag(In,Ga)Se2薄膜的生长过程
International Center for Science and Engineering Programs, Waseda University, Tokyo, Japan;
Department of Electrical Engineering and Bioscience and Kagami Memorial Research Institute for Materials Science, Waseda University, Tokyo, Japan;
Films; Silver; Atomic layer deposition; Photovoltaic cells; Substrates; Grain size; X-ray scattering;
机译:利用实时基板监测研究三阶段过程中Cu(In,Ga)Se2薄膜的特性
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延在缓冲层生长后生长过程中氮等离子体辐照对Si(1 1 1)上生长的六方InN薄膜特性的影响
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延在缓冲层生长后的生长过程中氮等离子体辐照对Si(111)上生长的六方InN薄膜特性的影响
机译:通过等离子体辅助分子束外延生长在GaAs(100)上生长的藻类缓冲层的立方GaN薄膜生长研究
机译:利用分子束外延研究低位错密度氮化镓薄膜的离子束辅助沉积。
机译:分子束外延法制备GeBi薄膜及其光学性质
机译:薄Ag前体层辅助共蒸发过程,用于低温生长Cu(In,Ga)SE2薄膜
机译:aLE(原子层外延)和mBE(分子束外延)方法在层状Hg(1-x)Cd(x)Te薄膜生长中的应用