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机译:掺硅单晶的意外生长
a Department of Chemistry, Louisiana State University, Baton Rouge, LA 70803, USA b Department of Physics and Astronomy, Louisiana State University, Baton Rouge, LA 70803, USA;
机译:掺硅单晶的意外生长
机译:空位和自填隙的单晶硅表面的从头算分析:熔体晶体生长过程中本征点缺陷掺入的含义
机译:重新回答了“关于从熔体生长的硅单晶中本征点缺陷掺入的评论” [J.应用物理111,116102(2012)
机译:在氩气环境中的生长期间将氩气的直接证明掺入高纯度硅单晶
机译:静态和旋转磁场对硅锗单晶液相扩散生长影响的数值模拟研究
机译:控制硅上单晶氮化镓纳米线自下而上的快速生长
机译:回应'评论'从熔体中生长的硅单晶的本征点缺陷并入,重新审视''[J.申请物理学。 111,116102(2012)]