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International symposium on high purity silicon
International symposium on high purity silicon
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1.
IMPACTING DEVICE PERFORMANCE AND YIELD THROUGH SACRIFICIAL OXIDATION IMPROVEMENTS
机译:
通过牺牲氧化改进的影响装置性能和产量
作者:
Satheesh Ambadi
;
Daniel Hannoun
;
Keith Kamekona
;
Jeff Pearse
;
George Chang
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
2.
SCREENING OF DISLOCATIONS IN SILICON BY POINT DEFECTS
机译:
点缺陷筛选硅中的位错
作者:
I. V. Peidous
;
K. V. Loiko
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
3.
INTRINSIC GETTERING IN NITROGEN DOPED CZOCHRALSKI CRYSTAL SILICON
机译:
氮气掺杂Czochralski水晶硅的内在吸气
作者:
Deren YANG
;
Ruixin FAN
;
Yijun SHEN
;
Daxi TIAN
;
Liben LI
;
Duanlin QUE
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
4.
OXYGEN PRECIPITATION BEHAVIOR AND ITS OPTIMUM CONDITION FOR INTERNAL GETTERING AND MECHANICAL STRENGTH IN EPITAXIAL AND POLISHED SILICON WAFERS
机译:
外延和抛光硅晶片内部吸气和机械强度的氧沉淀行为及其最佳条件
作者:
Kqji Sueoka
;
Masanori Akatsuka
;
Toshiaki Ono
;
Eiichi Asayama
;
Yasuo Koike
;
Naoshi Adachi
;
Shinsuke Sadamitsu
;
Hisashi Katahama
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
5.
DIRECT PROOF OF ARGON ATOMS INCORPORATION INTO HIGH-PURITY SILICON SINGLE CRYSTALS DURING GROWTH IN ARGON GAS AMBIENT
机译:
在氩气环境中的生长期间将氩气的直接证明掺入高纯度硅单晶
作者:
I.A. Shakin
;
A.G. Ulyashin
;
R. Job
;
W.R. Fahrner
;
A.V. Mudryi
;
A.I. Patuk
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
6.
MISFIT DISLOCATION NUCLEATION STUDY IN P/P+ SI
机译:
p / p + si的错位脱位成核研究
作者:
Petra Feichtinger
;
Mark S. Goorsky
;
Dwain Oster
;
Tom DSilva
;
Jim Moreland
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
7.
TRENDS IN LIFETIME MEASUREMENTS
机译:
终身测量的趋势
作者:
Dieter K. Schroder
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
8.
EFFECT OF COBALT AND COPPER CONTAMINATION ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF PROCESSED SILICON
机译:
钴和铜污染对加工硅电性能的影响
作者:
Janet Benton
;
Tom Boone
;
Dale Jacobson
;
Paul Silverman
;
Conor Rafferty
;
Steve Weinzierl
;
Bao Vu
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
9.
EFFECT OF MATERIAL PROPERTIES ON STRESS-INDUCED DEFECT GENERATION IN TRENCHED SOI
机译:
材料特性对挖沟SOI中应力诱导缺陷产生的影响
作者:
W.A. Nevin
;
K. Somasundram
;
S. Blackstone
;
S. Magee
;
A.T. Paxton
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
10.
THE MEASUREMENT OF NITROGEN IN SILICON SUBSTRATES BY SIMS
机译:
SIMS中硅基衬底中的氮气测量
作者:
R. S. Hockett
;
D. B. Sams
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
11.
PHOTOMAGNETIC DETECTION OF DOPING INHOMOGENEITIES IN SILICON CRYSTALS USING SQUID MAGNETOMETERS
机译:
鱿鱼磁仪硅晶体掺杂不均匀性的光磁检测
作者:
A. Luedge
;
H. Riemann
;
J. Beyer
;
Th. Schurig
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
12.
MICROSCOPIC CHARACTERIZATION OF ELECTROCHEMICAL PROPERTIES OF SILICON WAFER SURFACES
机译:
硅晶片表面电化学性能的微观表征
作者:
Takayuki Homma
;
Tadahiro Kono
;
Tetsuya Osaka
;
Masaharu Watanabe
;
Kiyoshi Nagai
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
13.
MICRO-FLUCTUATION OF GROWTH-RATE AND GROWN-IN DEFECT DISTRIBUTION IN CZ-SI
机译:
CZ-Si中生长速率和生长缺陷分布的微观波动
作者:
Masami Hasebe
;
Jun Fukuda
;
Toshio Iwasaki
;
Hirofumi Harada
;
Masahiro Tanaka
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
14.
Epitaxial Layer Lifetime Characterization in the Frequency Domain
机译:
频域外延层寿命表征
作者:
J. E. Park
;
D. K. Schroder
;
S. E. Tan
;
B. D. Choi
;
M. Fletcher
;
A. Buczkowski
;
F. Kirscht
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
15.
Progress in understanding the physics of copper in silicon
机译:
了解硅中铜物理的进展
作者:
A.A.Istratov
;
C.Flink
;
S.Balasubramanian
;
E.R.Weber
;
H.Hieslmair
;
S.A.McHugo
;
H.Hedemann
;
M.Seibt
;
W.Schroeter
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
16.
SILICON FLOAT-ZONE CRYSTAL GROWTH AS A TOOL FOR THE STUDY OF DEFECTS AND IMPURITIES
机译:
硅浮区晶体生长作为研究缺陷和杂质的工具
作者:
T. F. Ciszek
;
T.H. Wang
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
17.
DEPOSITION MECHANISM OF TRACE METALS ON SILICON WAFER SURFACES IN ULTRA PURE WATER
机译:
超纯水硅晶片表面上痕量金属的沉积机理
作者:
Takayuki Homma
;
Jun Tsukano
;
Tetsuya Osaka
;
Masaharu Watanabe
;
Kiyoshi Nagai
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
18.
DETECTION OF OXYGEN-RELATED DEFECTS IN SILICON WAFERS BY HIGHLY SELECTIVE REACTIVE ION ETCHING
机译:
通过高度选择性的反应离子蚀刻检测硅晶片中的氧相关缺陷
作者:
Kenji Nakashima
;
Yukihiko Watanabe
;
Tomoyuki Yoshida
;
Yasuichi Mitsushima
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
19.
HIGH RESISTIVITY CZ SILICON FOR RF APPLICATIONS SUBSTITUTING GaAs
机译:
用于替代GaAs的RF应用的高电阻率CZ硅
作者:
Takao Abe
;
Weifeng Qu
;
Shin-Etsu Handotai
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
20.
LASER SPECTROSCOPY METHODS FOR NONDESTRUCTIVE ANALYSIS OF POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS AND SILICON SURFACES
机译:
多晶硅薄膜和硅表面无损分析的激光光谱方法
作者:
D. Milovzorov
;
N. Chigarev
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
21.
TWO-DIMENSIONAL DISTRIBUTION OF LEAKAGE CURRENT IN ULTRATHIN OXIDE ON STEPPED Si SURFACE
机译:
阶梯式Si表面上超薄氧化物中漏电流的二维分布
作者:
M.Murata
;
N.Tokuda
;
D.Hojo
;
K.Yamabe
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
22.
INVESTIGATION OF GOI TEST METHODS ON SILICON SURFACE DEFECT FAILURE MECHANISMS
机译:
硅表面缺陷故障机制的GOI试验方法研究
作者:
F. Gonzalez
;
M. Hider
;
R. Barbour
;
J. Hull
;
S. Kitagawa
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
23.
CARRIER LIFETIME CONTROL AND CHARACTERIZATION OF HIGH-RESISTIVITY SILICON USED FOR HIGH-POWER DEVICES
机译:
用于大功率器件的高电阻率硅的载流子寿命控制与表征
作者:
H.-J. Schulze
;
A. Frohnmeyer
;
F.-J. Niedernostheide
;
F. Hille
;
P. Tuetto
;
T. Pavelka
;
G. Wachutka
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
24.
ON THE INFLUENCE OF THE INTERSTITIAL OXYGEN ON DRAM DEVICE YIELD AND RELIABILITY
机译:
基于间质氧对DRAM装置产量和可靠性的影响
作者:
R. Winkler
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
25.
Tin Doping Effects in Silicon
机译:
硅掺杂效果
作者:
M. Krasko
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
V.B. Neimash
;
A. Kraitchinskii
;
O. Puzenko
;
A. Blondeel
;
P. Clauws
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
26.
A NEW SUBSTRATE ENGINEERING TECHNIQUE TO REALIZE SILICON ON NOTHING (SON) STRUCTURE UTILIZING TRANSFORMATION OF SUB-MICRON TRENCHES TO EMPTY SPACE IN SILICON (ESS) BY SURFACE MIGRATION
机译:
一种新的基板工程技术,在硅(ESS)中使用亚微米沟的转换,通过表面迁移利用亚微米沟的变化来实现硅(SON)结构
作者:
Yoshitaka Tsunashima
;
Tsutomu Sato
;
Ichiro Mizushima
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
27.
LIFETIME AND LEAKAGE CURRENT STUDIES IN SHALLOW P-N JUNCTIONS FABRICATED IN A HIGH-ENERGY BORON IMPLANTED P-WELL
机译:
在高能量硼植入P阱中制造的浅P-N连接中的寿命和泄漏电流研究
作者:
A. Poyai
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
R. Rooyackers
;
G. Badenes
;
E. Gaubas
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
28.
IN-SITU MEASUREMENT OF IRON IN P-TYPE SILICON WITH THE μW-PCD TECHNIQUE
机译:
具有μW-PCD技术的P型硅中铁的原位测量
作者:
M. Porrini
;
P. Tessariol
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
29.
Influence of LSTD Size on the Formation of Denuded Zone in Hydrogen-Annealed CZ Silicon Wafers
机译:
LSTD尺寸对氢退火CZ硅晶片剥落区形成的影响
作者:
Ryuji Takeda
;
Toshiro Minami
;
Hiroyuki Saito
;
Yumiko Hirano
;
Hiroyuki Fujimori
;
Kazuhiko Kashima
;
Yoshiaki Matsushita
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
30.
RESONANCE ULTRASONIC DIAGNOSTICS OF AS-GROWN AND PROCESS-INDUCED DEFECTS IN Cz-Si
机译:
CZ-Si中增长和过程诱导缺陷的共振超声诊断
作者:
A. Belyaev
;
I. Tarasov
;
S. Ostapenko
;
S. Koveshnikov
;
V. A. Kochelap
;
A. E. Belyaev
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
31.
RADIAL DISTRIBUTIONS OF TRANSITION METAL DEFECTS IN FLOAT ZONE SILICON CRYSTALS
机译:
浮区硅晶体过渡金属缺陷的径向分布
作者:
H. Lemke
;
W. Zulehner
;
B. Hallmann
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
32.
HIGH PULL SPEED FOR FAST PULLED CRYSTAL IN CZ GROWTH
机译:
Cz生长中快速拉水晶的高拉速
作者:
Hyun Jung Oh
;
Jong Hoe Wang
;
Kyong-Min Kim
;
Hak-Do Yoo
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
33.
IMPACT OF THE PURITY OF SILICON ON THE EVOLUTION OF ION BEAM GENERATED DEFECTS: FROM RESEARCH TO TECHNOLOGY
机译:
硅纯度对离子束产生缺陷的影响:从技术研究
作者:
Vittorio Privitera
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
34.
THE TIME DEPENDENCE OF POINT DEFECT BEHAVIOR NEAR THE GROWTH INTERFACE IN Cz-Si
机译:
点缺陷行为附近CZ-SI在增长界面附近的时间依赖性
作者:
Bong Mo Park
;
Il Soo Choi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
35.
CRYSTAL DEFECT INFORMATION OBTAINED BY MULTIPLE WAFER RECLEANING
机译:
多个晶片重点获得的晶体缺陷信息
作者:
L. MuleStagno
;
S. Keltner
;
R. Yalamanchili
;
M. Kulkarni
;
J. Libbert
;
M. Banan
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
36.
ADVANCED SILICON WAFERS FOR 0.18 μm DESIGN RULE AND BEYOND: EPI0 AND fLASH!
机译:
高级硅晶片为0.18μm设计规则及更大:EPI0和Flash!
作者:
R. Schmolke
;
M. Blietz
;
R. Schauer
;
D. Zemke
;
H. Oelkrug
;
W. v. Ammon
;
U. Lambert
;
D. Graef
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
37.
INTEGRATED GETTERING OF METALLIC CONTAMINANTS BY NANOCAVITIES IN FZ SILICON WAFERS
机译:
FZ硅晶片中的纳米覆盖物体对金属污染物的综合吸血
作者:
I. Perichaud
;
E. Yakimov
;
S. Martinuzzi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
38.
GATE OXIDE INTEGRITY RESPONSE AS A FUNCTION OF NEAR THE SURFACE CRYSTAL DEFECTS MORPHOLOGY
机译:
栅极氧化物完整性响应作为近表面晶体缺陷形态的函数
作者:
G. Borionetti
;
P. Godio
;
F. Bonoli
;
M. Cornara
;
R. Orizio
;
R. Falster
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
39.
TRANSIENT SIMULATION OF GROWN-IN DEFECT DYNAMICS IN CZOCHRALSKI CRYSTAL GROWTH OF SILICON
机译:
硅中Czochralski晶体生长中成长缺陷动态的瞬态仿真
作者:
Tatsuo Mori
;
Zhihong Wang
;
Robert A. Brown
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
40.
THE FORMATION MECHANISM OF COUPLED VOIDS IN CZOCHRALSKI GROWN SILICON CRYSTALS
机译:
Czochralski生长硅晶体耦合空隙的形成机制
作者:
F. Ishikawa
;
S. Sadohara
;
T. Saishoji
;
K. Nakamura
;
J. Tomioka
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
41.
VALENCE FORCE FIELD ANALYSIS OF NITROGEN IN SILICON
机译:
硅中氮的价力场分析
作者:
H. Harada
;
K. Tanahashi
;
A. Koukitsu
;
T. Mikayama
;
N. Inoue
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
42.
NUCLEATION OF VOID DEFECTS IN CZ SILICON
机译:
Cz硅中的空隙缺陷成核
作者:
Y. Yamanaka
;
K. Tanahashi
;
T. Mikayama
;
N. Inoue
;
A. Mori
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
43.
Aggressive Monitoring of OSFs Using High Temperature Oxidation
机译:
使用高温氧化对OSF的积极监测
作者:
Ki-Man Bae
;
Jong-Rock Kim
;
Dong-Myun Lee
;
Sung-Su Kim
;
Chung-Geun Koh
;
Seung-Ho Pyi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
44.
IMPACT OF ANNEALING TEMPERATURE AND COOLING RATE ON THE GETTERING OF FE BY POLYSILICON BACKSIDE
机译:
通过多晶硅背面对退火温度和冷却速率对Fe的影响的影响
作者:
M. B. Shabani
;
Y. Shiina
;
Y. Shimanuki
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
45.
300mm EPI PP- WAFER: IS THERE SUFFICIENT GETTERING?
机译:
300mm epi pp-晶片:有足够的吸气吗?
作者:
D. Graef
;
U. Lambert
;
R. Schmolke
;
R. Wahlich
;
W. Siebert
;
E. Daub
;
W. v. Ammon
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
46.
Copper Stable Isotope Spike Method as A Tool for Low Temperature Out-Diffusion of Copper in P-Type Silicon
机译:
铜稳定同位素尖峰法作为P型硅中铜温度扩散的工具
作者:
Hyun-Jae Maeng
;
Han-Seog Oh
;
Young-Ki Hong
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
47.
ON THE EFFECT OF THE PRECIPITATION ON DRAM DEVICE YIELD
机译:
降水对DRAM装置产量的影响
作者:
R. Winkler
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
48.
A STUDY ON 'TWIN' <100> SQUARE HILLOCK SILICON CRYSTALLINE DEFECTS ON SILICON SUBSTRATE IN WAFER FABRICATION USING 155 WRIGHT ETCH
机译:
使用155赖特蚀刻在晶片制造中的“双”<100>平方小丘硅晶体晶体缺陷的研究
作者:
Hua Younan
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
49.
THRESHOLD STRESSES OF DISLOCATION GENERATION ONSET IN SILICON
机译:
硅中位错发电的阈值应力
作者:
I. V. Peidous
;
K. V. Loiko
;
N. Balasubramanian
;
T. Schuelke
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
50.
USE OF DIODE DIAGNOSTICS FOR SILICON WAFER QUALITY CHARACTERIZATION; EFFECT OF COP ON PN JUNCTION LEAKAGE
机译:
使用二极管诊断进行硅晶片质量表征; COP对PN结漏的影响
作者:
H. Kubota
;
H. Nagano
;
J. Sugamoto
;
H. Matsushita
;
M. Momose
;
S. Nitta
;
S. Samata
;
N. Tsuchiya
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
51.
VACANCY-NITROGEN COMPLEXES IN FLOAT-ZONE SILICON
机译:
浮子区硅中空位 - 氮气复合物
作者:
F. Quast
;
P. Pichler
;
H. Ryssel
;
R. Falster
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
52.
THE GATE OXIDE QUALITY OF ANNEALED CZ SILICON WAFERS AND ITS INFLUENCE ON 4M DRAM DEVICE YIELD AND RELIABILITY
机译:
退火CZ硅晶片的栅极氧化物质量及其对4M DRAM装置产量和可靠性的影响
作者:
R. Winkler
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
53.
EFFECT OF ALUMINUM ON OXIDE GROWTH AND OXIDE CHARGES IN SILICON WAFERS
机译:
铝对氧化硅晶片氧化物生长和氧化物电荷的影响
作者:
Hirofumi Shimizu
;
Masanori Ikeda
;
Chusuke Munakata
;
Naoyuki Nagashima
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
54.
INTRINSIC DEFECTS IN FZ SILICON AND THEIR IMPACT ON X-RAY PIN SENSOR PARAMETERS
机译:
FZ硅中的内在缺陷及其对X射线引脚传感器参数的影响
作者:
H. Riemann
;
A. Luedge
;
K. Schwerd
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
55.
MINORITY CARRIER LIFETIME AND IMPURITY LEVEL SCAN MAP IN SILICON
机译:
硅中的少数群体终身寿命和杂质水平扫描图
作者:
O. Palais
;
E. Yakimov
;
J.J. Simon
;
S. Martinuzzi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
56.
FORMATION AND ANNIHILATION OF EPITAXIAL STACKING FAULTS GENERATED FROM PRE-EXISTING NUCLEATION SITES IN SILICON
机译:
从硅预先存在的成核位点产生的外延堆叠故障的形成和湮灭
作者:
C. R. Cho
;
K. Y. Noh
;
D. H. Lee
;
Y. S. Kim
;
S. W. Ko
;
C. W. Kim
;
D. H. Kim
;
C. B. Son
;
S. J. Kim
;
D. H. Cho
;
J. J. Choi
;
D. J. Kim
;
K. M. Bae
;
G. A. Rozgonyi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
57.
SOI WAFER FABRICATION BY ATOMIC-LAYER CLEAVING
机译:
由原子层切割制造SOI晶片制造
作者:
M.I. Current
;
I.J. Malik
;
S.W. Bedell
;
S.N. Farrens
;
H. Kirk
;
M. Korolik
;
S. Kang
;
M. Fuerfanger
;
F.J. Henley
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
2000年
58.
SURFACE AND BULK PROPERTIES OF OXYGENATED FZ SILICON WAFERS FOR PARTICLE DETECTOR APPLICATIONS
机译:
氧化FZ硅晶片的表面和散装性能用于粒子探测器应用
作者:
P. Bellutti
;
M. Boscardin
;
G.-F. Dalla Betta
;
L. Ferrario
;
P. Gregori
;
N. Zorzi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
59.
EFFECT OF THE SHAPE OF CRYSTAL-MELT INTERFACE ON POINT DEFECT REACTION IN SILICON CRYSTALS
机译:
晶体熔体界面形状对硅晶体点缺陷反应的影响
作者:
K. Nakamura
;
S. Maeda
;
S. Togawa
;
T. Saishoji
;
J. Tomioka
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
60.
A PROCESS SIMULATION MODEL FOR THE EFFECTS DUE TO NITRIDATION OF OXIDES
机译:
氧化氮氮化效应的过程仿真模型
作者:
Yong-Seog Oh
;
Donald E. Ward
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
61.
BULK AND SURFACE PROPERTIES OF CZ-SILICON AFTER HYDROGEN PLASMA TREATMENTS
机译:
氢等离子体处理后CZ-Silicon的体积和表面性质
作者:
R. Job
;
A. G. Ulyashin
;
W. R. Fahrner
;
V. P. Markevich
;
L. I. Murin
;
J. L. Lindstroem
;
V. Raiko J. Engemann
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
62.
SURFACE-SEPARATED COLLECTION OF IONIC SPECIES FOR ION-CHROMATOGRAPHY ANALYSIS ON SILICON WAFER
机译:
硅晶片离子色谱分析离子物质的表面分离集合
作者:
K. Yanagi
;
H. Shibata
;
K. Nagai
;
M. Watanabe
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
63.
SILICON DEFECT CHARACTERIZATION BY HIGH RESOLUTION LAPLACE DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY
机译:
高分辨率Laplace深层瞬态光谱法的硅缺陷表征
作者:
A.R. Peaker
;
L. Dobaczewski
;
O. Andersen
;
L. Rubaldo
;
I.D. Hawkins
;
K. Bonde Nielsen
;
J.H. Evans-Freeman
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
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2000年
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