強誘電体フツ化物単結晶を用いたQPMデバイスによるSHG-UV/VUV発光

摘要

UV/VUV領域での非線形光学応用を見据えた単結晶材rn料として強誘電体フツ化物BaMgF_4に着目し，直径2イrnンチのバルク単結晶を育成した。透過率を測定した結果，rn吸収端は≈126nmに位置し，透明性が高いことがわかっrnた。分極と電界間のヒステリシスループを測定し，rnBaMgF_4単結晶の強誘電特性を測定した。その結果，抗rn電界が4から25kV/cmという小さい値であることがわかrnり，QPMのデバイス化に有利であることがわかった。rnQPMデバイスの試作を行った結果，周期24μmで周期分rn極反転が得られたことが選択的エッチングにより明らかrnとなった。こうして得られたQPMデバイスを用い，rn532nm緑色のSHG発光が得られ，引き続き，415nm，rn406nm，396nmからもSHG光が得られた。