...
机译:基于InAsSb的XBn势垒光电探测器,具有较高的工作温度
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
Semiconductor Devices P.O. Box 2250 Haifa, 31021 Israel;
shockley-read-hall; generation-recombination; diffusion currents; infrared detectors; high operating temperatures; indium arsenide antimonide; XBn; nBn;
机译:基于II型INAS / INASSB超晶格的中波长红外高工作温度PBN光电探测器
机译:基于InAsSb / GaSb量子阱的带间跃迁的室温工作扩展短波长红外光电探测器
机译:具有InAsSb的高工作温度的中红外焦平面阵列,具有能带对齐的复合势垒
机译:高工作温度EPI-INSB和XBN-INASSB光电探测器
机译:高工作温度和低功耗氮化硼纳米片基宽带紫外光电探测器
机译:基于微结的双电子势垒II型InAs / InAsSb超晶格长波长红外光电探测器的暗电流降低
机译:XBn“屏障光电探测器,用于高灵敏度和高工作温度的红外传感器
机译:用于长波红外区域的变质Inassb基势垒光电探测器。